Діод Зенер - це пристрій опорного напруги, який використовує характеристики зворотного зміщення допованого позитивно-негативного (PN) з'єднання, який виготовляється з напівпровідникових матеріалів із позитивним (P) та негативним (N) типом. У той час як нормальний діод має відносно високу напругу зворотного розбиття, діод Zener має зворотний розрив настільки низьким, як 1,2 В постійного струму (VDC). Діолет Зеннера , як і звичайний діод , має діапазон для позначення катода або негативного електроду. У прямому зсуві, де анод позитивний, і катод є негативним, діод Zener працює як звичайний діод .
У режимі зворотного зміщення звичайний діод залишається відкритою схемою для широкого діапазону напруг. Нормальний діод може мати напругу зворотного розриву близько 160 вольт (V), і ця напруга є загальним піком рівня напруги живлення змінного струму 110 В (VAC). Діаметр Zener має набагато меншу зворотну напругу. Наприклад, діод із 6,8-мегапіксельний стабілітуру досягне розбивки і підтримує струм, який дозволяє це зробити. Розсіювання живлення в діоді повинно становити близько половини номінальної потужності діода .
Діаметр 1-ваттного (W) Zener дозволить максимум 0.147 ампер (A). Це хороша практика, щоб половина номінальної потужності постійно розсіювалась у пристрої; отже, струм повинен зменшуватися вдвічі до 0,0735 А або 73,5 міліампер (мА). При цьому струм 1 Вт-6,8 В діод буде просто теплим. Слід зазначити, що цей діод зможе забезпечити близько 70 мА до зовнішнього навантаження при 6,8 В. Це робить цей діод простим регулятором напруги.
Діолет Зенер може бути підключений до пристрою підключення напруги, такої як схема повторителя емітера транзистора з негативним-позитивним-негативним (NPN) транзистором (BJT). Раніше позитивний вихід був на зворотному зміщеному катоді, тому катод буде, натомість, підключений до бази NPN BJT. Еміттер-пристрій відбуватиме базову напругу і використовуватиметься для отримання напруги емітера, що практично не збігається з базовою напругою, що робить його емітером. Випромінювач BJT буде стежити за напругою діода, менш приблизно до 0,7 В силиконового падіння напруги на базі емітера, а вихід на випромінювач становить близько 6,1 В постійного струму. Якщо константа прямого перенесення посилення напруги транзистора дорівнює 100, то взаємодія діода та транзистора забезпечує регульовану напругу близько 6,1 В постійного струму від 0 А до приблизно 6 А.